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多晶硅中石墨检测设备
多晶硅中石墨检测设备
2023-09-17T04:09:50+00:00
行业标准《硅材料用高纯石墨制品中杂质含量的测定百度文库
本标准适用于多晶硅用石墨制品中13种元素的测定，可满足多晶硅用高纯石墨的检测。 测定范围：电感耦合等离子体发射光谱法具有测定下限低、多元素测定、测定范围广等特 2017年8月10日 33 石墨在多晶硅铸锭炉中的应用 多晶硅铸锭炉中,多个组件需要石墨材料。 特别是加热器中使用的加热材料和隔热材料,是目前重要的配套材料,因此高纯石墨材料的 石墨材料在光伏行业中的应用多晶硅中石墨检测设备,多晶硅定向凝固工艺中石墨加热器的影响,多晶硅锭,石墨加热器,定向凝固,数值模拟。 石墨加热器作为多晶硅铸锭工艺中的热源,它的尺寸和位置直接影响了多技 多晶硅中石墨检测设备多晶硅生产中的分析检测 部分 化学分析部分 节 一、基本原理 光谱定量分析目前大约有三种方法。 即目视法、摄谱法和光电直读法。 目视法主要应用于作定 性和半定量分 多晶硅生产中的分析检测(学员版) 百度文库2020年8月4日 图中加热器材质为高纯度石墨材质，连接也采用的是石墨螺丝。 多晶炉装料方式根据炉子不同，有顶部装料和底部装料两种，顶装料，装料时炉盖平推移出；底部装料，装料时炉底下降。光伏晶体技术多晶技术 知乎
多晶硅中杂质含量分布及其检测方法的探讨百度文库
密度及重复性。 质谱法用于检测多晶硅中杂质含 量的方法主要包括 4 种： 辉光放电质谱法 （ GDMS ） 、 MS ） 、 电感耦合等离子体质谱法 （ ICP激光电离质谱 GDMS 与 SIMS 2023年5月12日 多晶硅（也称为 polySi 或 poly）薄膜广泛用作 MOS 晶体管 栅极和 MOS 电路中的互连。 它还用作 电阻器，以及确保浅结的 欧姆接触。 当用作栅电极时，可以在其上沉积金属（例如钨）或金属硅化物（ 透视多晶硅：一文深入揭秘多晶硅及其生产工艺 知乎一、多晶硅制备中理化检测的意义 二、多晶硅制备中所需检测的内容 1、多晶硅的外观检测 2、物理检测 3、化学分析 三、多晶硅制备中的物理检测多晶硅制备中的理化检测百度文库2018年12月28日 标准号：GB/T 370492018 中文标准名称： 电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法 英文标准名称：Test method for the content of 国家标准GB/T 3年7月1日 中化所材料检测机构可提供石墨检测服务，中化所高新技术企业，集体所有制 实验室拥有众多大型仪器及各类分析检测设备，研究所长期与各大企业、高效和科 石墨检测中化所第三方检测机构[材料实验室]
单晶拉制过程中的异常情况及其处理 知乎
2020年7月28日 在熔化硅和单晶拉制的整个过程中，操作人员要经常检查各个冷却水管是否通畅，发现异常要及时处理，防止造成重大安全事故。 以上只是说的部分异常及异常处理，欢迎行业人员交流，如有好的建议或者是需要我再聊聊光伏行业某些设备，可以私信给我 2019年8月20日 此时可得纯度达到 9N 的硅（但是是多晶硅），用区域熔融法可进一步提纯至 11N 或更高纯度。超纯氢气可以通过将普通氢气通过钯银合金管扩散制备。氢气极易溶于钯，在钯中，氢气断键形成原子被吸 半导体所用的高纯硅是如何提纯到 9921年8月8日 单晶炉 单晶炉，全自动直拉单晶生长炉，是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备。 单晶硅炉型号有两种命名方式，一种为投料量，一种为炉室直径。 比如 120、150 等型号是由 半导体工艺设备之单晶炉电子工程专辑2022年11月29日 解决方案： PVDF花篮是用于承载单晶硅片和多晶硅片并完成硅片的转换、清洗、烘干工艺的设备，底部有镂空，部分材质存在反光情况，因此选用回归反射型光电PTER200N，检测距离可调节，最远可达200cm，使用方便。解决方案 每个光伏智能工厂都必不可缺的 —— 花篮高效传输 2023年5月16日 由于我国多晶硅生产具有效率高和成本低的优势，近年来全球多晶硅产业呈现出向中国转移的明显趋势。 我国多晶硅产业相对国外起步较晚，2007年才开始规模化生产，据统计，截至2022年我国多晶硅产量达827万吨，同比增长634%，预计2023年产量增长 2023年中国多晶硅产量、进出口、需求量及竞争格局分析「图
管式PECVD 镀膜均匀性改善 摘要:为改善多晶硅片在管式
2020年12月7日 摘要:为改善多晶硅片在管式PECVD 设备中的镀膜均匀性，主要从镀膜工艺参数的设定、硅片制绒面反射率及石墨舟状态这3 个方面进行了镀膜均匀性研究。结果表明：在保证良率的前提下，当外层压力为1700 mTorr、内层氮硅比为4487、射频功率为 2022年8月31日 这种多晶硅制备方法经过Sintef公司改进后，生产过程如下：在离子回转炉中通过C对SiO2进行还原，得到产物SiC，再将SiC投入到电弧炉中继续和SiO2反应，可以得到液态的硅。 实验表明，这种液态硅中杂质含量非常少，几乎只有C这一种杂质。 为了去除液态硅中的C 多晶硅生产工艺 知乎2011年2月8日 熔化熔化Melt)Melt)仍然在真空中完成熔化循环的个阶段以烘仍然在真空中完成熔化循环的个阶段以烘干水分。 保持恒定温度（干水分。 保持恒定温度（）长达）长达1515个小时个小时使硅料温度与石墨块温度相同且排出水分，油和使硅料温度与石墨块温度相同且排出水分，油和油脂。多晶硅铸锭工艺流程讲解 豆丁网2021年7月13日 半导体分立元器件和集成电路制造工艺需要外延生长技术，因半导体其中所含的杂质有N型和P型，通过不同类型的组合，使半导体器件和集成电路具有各种各样的功能，应用外延生长技术就能容易地实现。 硅外延生长方法，又可分为气相外延、液相外延、固 半导体工艺之气相外延 知乎2021年9月8日 看芯片材料基石——硅 硅材料根据晶胞的排列方式不同，分为单晶硅和多晶硅。 单晶硅和多晶硅较大的区别是单晶硅的晶胞排是有序的，而多晶硅是无序的。 在制造方法方面，多晶硅一般是直接把硅料倒入坩埚中融化，然后再冷却而成。 单晶硅是通过拉 看芯片材料基石——硅 知乎
为什么要用硅材料做芯片？未来有材料能取而代之吗？
2021年3月24日 最常用的是直拉法，将多晶硅放在石英坩埚中，用1400℃的温度在外围保持加热，就会产生多晶硅熔化物。 当然，在这之前会把一颗籽晶浸入其中，并且由拉制棒带着籽晶作反方向旋转，同时慢慢 2022年8月12日 综述： 薄膜沉积是在半导体的主要衬底材料上镀一层膜。这层膜可以有各种各样的材料，比如绝缘化合物二氧化硅，半导体多晶硅、金属铜等。用来镀膜的这个设备就叫薄膜沉积设备。从半导体芯片制作 薄膜沉积设备解析——PECVD/LPCVD/ALD设备的原 2023年4月11日 1、单晶硅和多晶硅的区别：物理性质不同 多晶硅在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显，多晶硅几乎没有导电性； 2、单晶硅和多晶硅的区别：外观不同 单晶硅的四个角呈现圆弧状，表面没有花纹；而多晶硅的四个角呈现方角 单晶硅和多晶硅的区别是什么？生产工艺如何？晶体的材料 本标准是多晶硅生产使用原料氯硅烷品质分析重要的标准之一。本次修订将对我国光伏产业原生多晶生产原料氯硅烷中金属杂质浓度的检测和生产控制具有较强的指导作用，对保证行业内硅单晶产品质量具有重要的作用。 新特能源股份有限公司检测公司 2018年5月协会标准《多晶硅生产用氯硅烷杂质含量分析 电感耦合等离子 2022年10月23日 电子级硅烷气在光伏行业中主要应用于晶体硅太阳能电池生产工艺和薄膜太阳能电池生产工艺。商业化生产的晶体硅太阳能电池通常采用多晶硅材料，生产过程中需要在受光面上通过化学气相沉积制作减反射膜，在该步骤中需要用到硅烷气。电子级硅烷气龙头公司，硅烷科技：募资扩产多晶硅打开发展
半导体硅片产业研究报告（上） 知乎
2021年10月13日 由于多晶硅硅片主要用在光伏产品中，而且有逐渐被单晶硅片代替的趋势，所以多晶硅片的成本下降空间不大。 半导体硅片制造成本 半导体硅片成本构成更复杂：半导体硅片在纯度和电学特性方面较新能源硅片有更高要求，所以在制造过程中需要更多的纯化步骤和供应原料，造成制造原料的种类 2021年10月8日 目前国内拥有多晶硅核心提炼工艺、质量控制能力较强的企业极少，公司多晶硅提纯设备已经开始获得订单，有望打开公司新成长空间，未来想象力十足。 1、多晶硅提纯技术背景。全球光伏产业高速发展带动太阳能级多晶硅新元科技:多晶硅提纯技术+提纯设备订单 知乎2021年12月18日 1、测试方法：利用红外光谱进行定性定量分析的方法； 2、测试范围：适用于室温电阻大于01Ωcm的硅晶体。 3、测试原理：用红外光谱仪测定SiO键在1105cm1处的吸收系数来确定硅晶体中间隙氧的含量；在6072cm1（1647μm）处的吸收系数来确定硅红外光谱法在硅中氧碳含量测定上的应用检测资讯嘉峪检测网2018年2月7日 摘要：改良西门子法是生产多晶硅的主流工艺。简述了多晶硅行业的生产背景和现状，介绍了多晶硅行业现今所面临的困境和多晶硅生产中原料三氯氢硅中痕量硼、磷杂质的高效分离方法，并讨论了多晶硅生产中原料三氯氢硅中硼、磷杂质的存在形式和分离难点，概述了多晶硅生产中原料三氯氢硅中 高效除三氯氢硅中痕量硼、磷工艺研究进展 TJU2022年12月8日 石英坩埚在单晶硅行业的应用 目前，国内拉制半导体单晶硅和拉制光伏单晶硅常用的是石英坩埚配合石墨坩埚同时进行的，制造单晶硅所用的石英坩埚规格通常是18英寸36英寸的，也有个别厂家使用40英寸及以上的太阳能级石英坩埚或半导体级石英坩埚。 当 石英坩埚和石墨坩埚升级 可重复利用高热导氮化硅坩埚助力
一文看懂半导体硅片所有猫腻 知乎
2020年4月10日 单晶硅制备流程 直拉法简称 CZ 法。CZ 法的特点是在一个直筒型的热系统汇总，用石墨电阻加热，将装在高纯度石英坩埚中的多晶硅熔化，然后将籽晶插入熔体表面进行熔接，同时转动籽晶，再反转坩 2023年4月11日 随着石墨材料在直拉单晶中的应用越来越广泛，石墨材料的发展可以促使直拉单晶工艺得到改善，有利于进一步降低直拉单晶的生产成本和提高直拉单晶的生产效率。 随着太阳能光伏行业的不断发展，太阳能光伏材料生产过程中的原辅材料需要也在日益剧增 石墨在光伏行业的应用资讯超硬材料网2022年7月25日 传统CVD工艺中，沉积薄膜一般为氧化物、氮化物、碳化物等化合物或多晶硅，在特定领域的薄膜生长采用的外延技术广义上也算CVD CVD在薄膜沉积设备市场中占比最高，PECVD 是较大的细分市场。CVD方法覆盖前段和后段工艺的大部分薄膜，是应用 芯片制造的核心工艺：一文看懂薄膜沉积 知乎2023年3月17日 2）将尾气中分离出的氢气送回还原炉、氯化氢送回TCS合成装置，进而实现闭路循环利用。 图表12改良西门子法工艺流程示意图 图表13多晶硅还原炉为改良西门子法的核心设备 改良西门子法较西门子法具备多重优势，目前已成为行业主流生产技术。改良西门子法生产多晶硅的工艺流程循环技术尾气2021年7月17日 装料设备、工模具、材料：硅锭运转车、石墨护板、防护服、电子秤、工业吸尘器；石英坩埚、硅料、硼母合金。工艺—铸锭 在上面工艺流程中的熔化、定向生长、冷却凝固、硅锭出炉都是在铸锭炉内完成。生成完整的多晶硅锭。生产多晶硅片级产业链的工艺流程 知乎
工业硅需求篇之二：多晶硅行业深度梳理 新浪财经
2022年12月10日 需求方面，多晶硅消费领域集中在光伏市场，随着光伏产业景气度不断提高，多晶硅消费量实现了快速增长。 2022年19月，多晶硅表观消费量为5758 2020年12月7日 多晶体晶胞可由一种可见的「片状金属效应」来识别纹理。 半导体级（也包括太阳能级）多晶硅被转换为「单晶」硅——意味着在「多晶硅」中 科普 多晶硅和单晶硅的区别在哪里？ OFweek电子工程网2022年6月14日 氧化夹层成为衡量多晶硅质量的一个重要指标，本文通过异常料的产生原因，产生过程以及相关具体控制方法来研究和解决异常料的问题，通过过程控制来逐步分析和解决异常料的产生，并从根本上消除异常料，经过不断摸索将异常料的比例降为零。 太能能级 多晶硅异常料的分析及解决办法2021年9月13日 1 检测设备贯穿每一步骤的过程工艺控制，全球市场空间超百亿美元 半导体量检测设备主要用于在半导体制造过程中检测芯片性能与缺陷。几乎每一步主要工艺 完成后都需要在整个生产过程中进行实时的监测，以确保产品质量的可控性，对保证产品质 量起到关键性的作用。半导体检测设备行业专题报告：从KLA成长路径看国产替代进程2022年5月7日 石英制品在半导体中的应用 在半导体行业，石英被广泛应用，高纯石英制品更是晶圆生产中的重要耗材。 生产硅单晶的坩埚、晶舟、扩散炉炉芯管等石英部件必须使用高纯石英玻璃制品。 石英部件在半导体领域主要目标市场应用为晶圆代工中扩散和刻蚀工艺 小耗材大作用：石英在半导体制程中的各种应用 知乎
怎样把沙子变成99%纯度的芯片原材料硅片澎湃
2021年8月16日 首先将多晶硅块和掺杂剂放入单晶炉中的石英坩埚中，使其温度保持在1420摄氏度以上。 然后，将一根直径很细的（通常只有1CM）的单晶硅棒（称之为籽晶）放入其中，通过控制好温度，在熔融的多晶硅液体和单晶硅棒固液交界面上，硅原子就会顺着籽晶的硅原子排列结构形成规则的结晶。2022年3月26日 1本发明属于多晶硅技术领域，具体涉及一种多晶硅中碳含量的检测方法。背景技术： 2多晶硅料是光伏行业及半导体行业生产直拉单晶或区熔单晶的原料，其会含有碳杂质，而碳是有害的杂质，严重影响 一种多晶硅中碳含量的检测方法与流程2017年3月24日 单晶炉，全自动直拉单晶生长炉，是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备。 单晶硅炉型号有两种命名方式，一种为投料量，一种为炉室直径。 比如 120、150 等型号是由投料量 半导体工艺设备之单晶炉2018年8月7日 多晶硅铸锭炉抽真空系统除了有基础的抽气设备之外还设置了压力检测装置，确保炉内压力在合适的范围之内，为多晶硅硅锭的生长提供良好的气氛。铸锭炉抽真空系统的具体设备有罗茨泵、比例阀旁路抽气系统和机械泵[1]。 压力控制系统多晶硅铸锭炉生产工艺控制技术和设备组成2022年9月26日 近几年来，随着我国太阳能光伏产业的快速发展，多晶硅铸锭炉设备的需求也逐渐增长，特别是自 2009 年以来，国内多晶硅铸锭炉市场呈现快速增长的势头根据中国电子专用设备工业协会统计，2009 年国产多晶硅铸锭炉销量为 102 台，销售金额 25,500万 中国多晶硅铸锭炉市场竞争格局、行业需求规模及市场发展概况
从多晶硅到单晶硅棒再到晶圆的工艺流程
2021年3月26日 由于目前先进器件制造用的硅晶圆几乎全部由CZ法单晶硅棒加工而成，故下面仅对CZ法进行说明。 首先，将多晶硅装入CZ炉内的石英坩埚中，由石墨加热器将其加热熔融得到硅熔液]。 多晶硅原料是由圆柱状粉碎为团块（lump）状以便于熔融。 硅的熔点大约为1420 2021年6月8日 在长晶过程中的设备 、电费、特气以及人工费用等等。 单晶硅制造成本： 在硅成本和切片方面，单晶硅和多晶硅的差别不是很大。长晶环节是主要的成本差异。从单晶硅片的成本结构来看，硅料成本约占50%，拉单晶硅棒的成本约占整个成本的33% 硅片制造技术过程、成本及难点单晶2021年3月23日 硅石中硅与氧的结合键很强，因此首先要在电弧炉中将硅石熔化，用碳或石墨使硅还原，首先制成纯度大约为98%的还原“金属硅” (冶金级单质硅)。 硅石还原需要大量的能量，可以想象，制造金属硅所需要的电力，与制造金属铝所需要的电力不相上下。 硅石 从硅石到金属硅再到高纯度硅的制作工艺 百家号2023年8月22日 光学性质： 多晶硅在光学性质方面也表现出独特的特点。 多晶硅的光吸收特性使之成为太阳能电池的理想材料之一。 多晶硅太阳能电池的制备过程相对简单，成本相对较低，且在光电转换效率上取得了可观的进展。 然而，在一些光学应用中，如光学器件 多晶硅：制备、性质与应用的全面解析 知乎本标准适用于多晶硅用石墨制品中13种元素的测定，可满足多晶硅用高纯石墨的检测。 测定范围：电感耦合等离子体发射光谱法具有测定下限低、多元素测定、测定范围广等特点，可完成多晶硅用高纯石墨制品中杂质测定，测定范围为（010～5000）μg/g。行业标准《硅材料用高纯石墨制品中杂质含量的测定百度文库
单晶拉制过程中的异常情况及其处理 知乎
2020年7月28日 在熔化硅和单晶拉制的整个过程中，操作人员要经常检查各个冷却水管是否通畅，发现异常要及时处理，防止造成重大安全事故。 以上只是说的部分异常及异常处理，欢迎行业人员交流，如有好的建议或者是需要我再聊聊光伏行业某些设备，可以私信给我 2019年8月20日 此时可得纯度达到 9N 的硅（但是是多晶硅），用区域熔融法可进一步提纯至 11N 或更高纯度。超纯氢气可以通过将普通氢气通过钯银合金管扩散制备。氢气极易溶于钯，在钯中，氢气断键形成原子被吸 半导体所用的高纯硅是如何提纯到 9921年8月8日 单晶炉 单晶炉，全自动直拉单晶生长炉，是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备。 单晶硅炉型号有两种命名方式，一种为投料量，一种为炉室直径。 比如 120、150 等型号是由 半导体工艺设备之单晶炉电子工程专辑2022年11月29日 解决方案： PVDF花篮是用于承载单晶硅片和多晶硅片并完成硅片的转换、清洗、烘干工艺的设备，底部有镂空，部分材质存在反光情况，因此选用回归反射型光电PTER200N，检测距离可调节，最远可达200cm，使用方便。解决方案 每个光伏智能工厂都必不可缺的 —— 花篮高效传输 2023年5月16日 由于我国多晶硅生产具有效率高和成本低的优势，近年来全球多晶硅产业呈现出向中国转移的明显趋势。 我国多晶硅产业相对国外起步较晚，2007年才开始规模化生产，据统计，截至2022年我国多晶硅产量达827万吨，同比增长634%，预计2023年产量增长 2023年中国多晶硅产量、进出口、需求量及竞争格局分析「图
管式PECVD 镀膜均匀性改善 摘要:为改善多晶硅片在管式
2020年12月7日 摘要:为改善多晶硅片在管式PECVD 设备中的镀膜均匀性，主要从镀膜工艺参数的设定、硅片制绒面反射率及石墨舟状态这3 个方面进行了镀膜均匀性研究。结果表明：在保证良率的前提下，当外层压力为1700 mTorr、内层氮硅比为4487、射频功率为 2022年8月31日 这种多晶硅制备方法经过Sintef公司改进后，生产过程如下：在离子回转炉中通过C对SiO2进行还原，得到产物SiC，再将SiC投入到电弧炉中继续和SiO2反应，可以得到液态的硅。 实验表明，这种液态硅中杂质含量非常少，几乎只有C这一种杂质。 为了去除液态硅中的C 多晶硅生产工艺 知乎2011年2月8日 熔化熔化Melt)Melt)仍然在真空中完成熔化循环的个阶段以烘仍然在真空中完成熔化循环的个阶段以烘干水分。 保持恒定温度（干水分。 保持恒定温度（）长达）长达1515个小时个小时使硅料温度与石墨块温度相同且排出水分，油和使硅料温度与石墨块温度相同且排出水分，油和油脂。多晶硅铸锭工艺流程讲解 豆丁网2021年7月13日 半导体分立元器件和集成电路制造工艺需要外延生长技术，因半导体其中所含的杂质有N型和P型，通过不同类型的组合，使半导体器件和集成电路具有各种各样的功能，应用外延生长技术就能容易地实现。 硅外延生长方法，又可分为气相外延、液相外延、固 半导体工艺之气相外延 知乎2021年9月8日 看芯片材料基石——硅 硅材料根据晶胞的排列方式不同，分为单晶硅和多晶硅。 单晶硅和多晶硅较大的区别是单晶硅的晶胞排是有序的，而多晶硅是无序的。 在制造方法方面，多晶硅一般是直接把硅料倒入坩埚中融化，然后再冷却而成。 单晶硅是通过拉 看芯片材料基石——硅 知乎